半导体的工作原理
半导体的材料一般是电子不多不少(不易获得也不易失去)的,如:硅(4最外层4电子)
电子多,说明核带正电多,对电子吸引力强; 电子少,说明核带正电少,对电子吸引力弱。
晶体二极管
纯硅电子不易得也不易失,我们称之为 本征半导体 。如果我们在硅中加入一点磷(最外层5电子),则将不是在最外出4电子的基础上多了一个电子。这时这个电子将相对”自由”。这个整体带的电子比稳定的4电子多,我们就叫它N型半导体(Negetive)。
如果我们在本征半导体参入堋(最外层3个电子),整体将变得渴望1个电子,我们将这个空的地方(为到达4电子)称为空穴。这些空穴有渴望电子的能力。相对4电子结构,空穴是Positive的,因此称为P型半导体。
采用特殊的技术,把P型半导体和N型半导体(P、N整体都是中性,别被PN误导)拼接在一起。那么由于P型半导体的空穴浓度高,N型半导体的空穴浓度低,空穴就会从P扩散到N;同理N型半导体的电子扩散到P型半导体,就像液体中的扩散一样。但扩散不会一直发生,当N中的空穴变多,变得带正电,P中的电子变多,变得带负电,形成电场。
随着电场的形成,电场将试图将P的电子拉到N,随着P的电子减少,电场减弱,扩散又发生,最后扩散和电场达到动态平衡。
- 如果我们向N区通正电,新增的电场与内部的电场方向一致,电场将会变强。虽然仍会处于动态平衡,但是电场抑制了粒子移动,从而阻断电流。
- 如果我们向P区通整点,N区通负电,将压缩内电场,电子的束缚将变小从而导通电流
- 于是晶体二极管就诞生了
晶体三极管
晶体三极管结构如下:
外 | N | P | N | 内 |
---|---|---|---|---|
通电电极 | + | + | - | |
位置 | 3 | 2 | 1 |
每个PN接触面会形成PN节,一般0.7V的电压会导通PN节。
如果1号位和2号位电压大于0.7V,就通电了。需要注意的是,设计时,1号位故意参杂很多5电子元素,使得电子浓度很高;而2号位的半导体很薄,很难一次消耗掉这些涌入的电子;当2号涌入了很多电子又无法消耗,那么就打破了2号和3号的动态平衡。而且3号设计得很大电子浓度低,2号扩散过来的电子很快会被3号收集。又因为3号通的正电,电子得到了一个快速的泄洪通道,迅速通过电源正极。
这样一来,我们可以认为2号和3号通电了。又因为2号电子来自1号,所以1号也和3号通电了。
2号极小的信号改变就会导致1号电子涌入的巨大变化,从而引起1号与3号之间电流的巨大变化。
- 1号连接负极,称为发射极
- 2号相当于阀门,操作这原始信号,称为基极
- 3号收集电子,称为集电极
场效应管
将两个N型半导体浸如一个大的P型半导体中,两个N型半导体分别接入正极和负极,P型半导体接入正极,但与正极间隔这一个电容。
N | P | N | |||
---|---|---|---|---|---|
通电电极 | P | - | +电容 | + | P |
位置 | P | 1 | 2 | 3 | P |
P | P | P | P | P |
- 1号由电源不断提供电子
- 2号不断吸引电子,但不会快速消耗电子
- 3号快速消耗电子
由于2号电子处聚集了大量电子,3号消耗了很多电子,于是P型半导体由于电子聚集的位置与3号N型半导体由于电子消耗,半导体的类型发生了改变。即2号与3号之间,2号成了N型,3号成了P型,电子将扩散到3号并被快速消耗。又由于1号源源不断提供电子,不断涌向2号。于是1号和3号在2号的控制下形成了通电回路。
- 1号提供电子,称为源极
- 2号像栅栏一样控制电路导通,称为栅极
- 栅极的正负控制这电路的通阻,如果用01表示同断,那么计算机科学就开始了
- 3号称为漏极